金冠天津时时彩开奖: [控制电路] 电压缘何而来

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楼主
各位大神请问P24为高电平时N点的电压值为多少?VCC=9V(5A),H4是ETC制热片,我现在通电后测得N点电压有1.9V,理论来说是0V的,请问有大神知道怎么回事吗?

沙发
| 2020-7-26 13:08 | 只看该作者
把 R40 和 R48 改为20K 试试。
板凳
 楼主 | 2020-7-26 21:51 | 只看该作者
gaohq 发表于 2020-7-26 13:08
把 R40 和 R48 改为20K 试试。

能解释一下原因吗  
地板
| 2020-7-27 01:00 | 只看该作者
王栋春 发表于 2020-7-26 21:51
能解释一下原因吗

怀疑 Q7, Q8没有饱和导通,使得Q5, Q14 没有完全导通。
5
| 2020-7-27 10:59 | 只看该作者
MOS管为PMOS管?
如果是这样的话,这个设计是有严重缺陷的
6
| 2020-7-27 21:36 | 只看该作者
可以搭一下仿真一下,或者直接焊接一个试试,电路不是很复杂
7
| 2020-7-27 21:41 | 只看该作者
1.9V差不多就是下管的开启电压,上管基本上会完全导通,下管处于线性状态,功耗巨大,这种设计莫名其妙。
8
 楼主 | 2020-7-27 21:56 | 只看该作者
gaohq 发表于 2020-7-27 01:00
怀疑 Q7, Q8没有饱和导通,使得Q5, Q14 没有完全导通。

三极管饱和导通后MOS管不是截止吗
9
| 2020-7-28 09:24 | 只看该作者
不共地就不好分析Q5,Q14的工作状态了,金冠天津时时彩开奖:前面的关闭了,后的MOS不一定会完全关闭。
10
| 2020-7-28 12:47 | 只看该作者
王栋春 发表于 2020-7-27 21:56
三极管饱和导通后MOS管不是截止吗

注意区分 N 沟道MOSFET 和 P 沟道MOSFET

你的图上显示是 P 沟道的MOSFET
11
| 2020-7-28 12:49 | 只看该作者
mos管处于放大状态,是射极输出,功率的时候,MOS管的Vgs会在1~5V之间变化,负载小电压低,负载大电压差高。无论你VCC升高多少V,都是射随输出,也就是电压在1~4V之间,要使MOS在开关状态,必须保证保持Vgs,12V以下的低压MOS不低于3V,以上的不低于8V
12
| 2020-7-28 13:37 | 只看该作者
理论分析错误了吧
13
| 2020-7-31 11:32 | 只看该作者
电路设计有问题!    +5V的地方直接接到  VCC,  上管用PMOS ,下管用NMOS ,相关电阻参数调整一下,不香吗
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